MRAM对比其他存储技术
韩国 NTESOL 品牌的磁性随机访问存储器（MRAM）与其他存储技术相比具有许多独特的特点和优势。以下是MRAM与其他存储技术（如闪存、DRAM、NVRAM等）进行比较的一些方面：
∎ MRAM 与 FeRAM 对比
更快的写入速度：MRAM芯片比FRAM芯片具有更快的写入速度。MRAM芯片可以实现单个字节的写入，而FRAM芯片则需要写入整个数据块。这使得MRAM芯片在存储大量数据时更加高效。
更低的功耗：MRAM芯片比FRAM芯片具有更低的功耗。MRAM芯片的写入操作只需要很少的电流，而FRAM芯片则需要更多的电流。这使得MRAM芯片在移动设备和其他低功耗设备中更加适用。
更高的可靠性：MRAM芯片比FRAM芯片具有更高的可靠性。MRAM芯片具有更长的数据保存时间和更大的存储容量，这使得它们更适用于长期存储。
更大的存储容量：MRAM芯片比FRAM芯片具有更大的存储容量。MRAM芯片的存储密度比FRAM芯片高，这使得它们可以存储更多的数据。
∎ MRAM 与 Nor Flash对比
MRAM使用OTA (Over The Air)比NOR更快的写入速度，不需要额外的RAM。MRAM更长的写入耐力意味着它比NOR持续时间更长。MRAM提供1字节访问，以有效利用存储区域。例如，32Mb的NOR将被16Mb的MRAM取代。
∎ MRAM 与 SRAM 对比
MRAM无需备用电池、电池插座、超级电容或Vcc监控电路。流线型的设计和简单的SMT工艺导致质量成本远远低于SRAM。MRAM的电池保留时间为10年，而SRAM的电池寿命为7年。
∎ MRAM 与 nvSRAM 对比
MRAM不需要超级电容器，节省电路板面积，减少元件。MRAM可快速开机可快速系统恢复。
∎ MRAM 与 DRAM 对比
MRAM芯片是一种非挥发性存储器，可以永久保存数据，即使断电也不会丢失数据。而DRAM芯片是一种挥发性存储器，需要电源持续供电才能保持数据长电池寿命，从而减少维护成本。
∎ MRAM 与 EEPROM 对比
MRAM芯片的存储介质是磁性材料，与EEPROM和Flash相比，它的数据保存时间更长，更不易受到外界干扰。读写速度方面，EEPROM的写入操作需要擦除块，导致写入速度较慢，比MRAM慢得多。MRAM芯片具有长寿命和耐久性，可以进行数百万次的写入操作。
MRAM芯片可以实现大容量存储，与传统存储器件相比，可以实现更高的集成度和更小的尺寸。 由于MRAM芯片的存储过程不需要耗费能量，因此MRAM芯片具有低功耗的特点。这不仅有助于减少系统的整体功耗，还有助于延长电池寿命，从而减少维护成本。
韩国Netsol MRAM存储芯片，凭借高续航、快速访问和长保留期特性，一颗MRAM芯片替换“工作内存”(典型的SRAM或DRAM)和“代码存储”(典型的NOR、Flash或E2PROM）二合一的解决方案。
