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应用案例

低功耗，高性能：MRAM芯片加速物联网节奏

物联网 (IoT) 将众多智能设备利用互联网协议技术连接起来，使它们能够相互通信。

MRAM持久性，结合极低的能耗模式，使物联网节点的代码和数据能够在极小的形状因素下从能源收割机或电池源操作。启动时间通常是物联网节点的一个重要考虑因素。MRAM利用原地算法（code-in-place）结构可减少所需的启动时间，由于对DRAM或SRAM的需求更少，所以减少了总体材料清单成本。
因此，用MRAM替代SRAM和闪存，就可以实现低功耗、高性能，这对于物联网中的边缘终端非常重要。将MRAM集成到物联网芯片的后端互连层中，相比于现有利用SRAM和eFlash架构，能够实现更小的裸片尺寸和更低的成本。

从物联网的应用程序来看，随着通过多种传感器收集处理数据并以二次电池等电池为动力进行运作的产品不断增加，对低电力存储器的需求也正在增大。

与其他现有存储器不同，MRAM消耗电流低、耐久性高，因而是非常适合物联网的存储器。

MRAM的主要优势如下
· 近乎无限的耐用性（100兆次的写入次数）
· 低功耗
· 保证突发断电时的安全，恢复时间短
· 长期保存数据（10 年）

# Serial STT-MRAM 串口

容量 : 1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb
电源供应：1.8V（1.71V～1.98V）或3.3V（2.7V～3.6V）
具有SDR和DDR串行接口兼容性的单线、双线和四线SPI。
数据保存期：10年
读取耐力：无限
写入耐力 : 1014
无需外部ECC
工业标准引脚及封装：8WSON、8SOP

Density	Part Number	Interfaces	VDD(V)	Frequency(MHz) SDR/DDR	Temperature	Package
1M bit	S3A1004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
1M bit	S3A1004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
2M bit	S3A2004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
2M bit	S3A2004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
4M bit	S3A4004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
4M bit	S3A4004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
8M bit	S3A8004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
8M bit	S3A8004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
16M bit	S3A1604V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
16M bit	S3A1604R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
32M bit	S3A3204V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
32M bit	S3A3204R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP

# Parallel STT-MRAM 并口

容量 : 1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb, 64Mb
电源供应：1.8V（1.7V～1.95V）或3.3V（2.7V～3.6V）
Parallel 异步接口 x16/x8 I/O
数据保存期：10年
读取耐力：无限
擦写耐力 : 1014
无需外部ECC
封装：48FBGA、44TSOP2、54TSOP2

Density	Part Number	Interfaces	VDD(V)	Frequency(MHz) SDR/DDR	Temperature	Package
1M bit	S3A1004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
1M bit	S3A1004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
2M bit	S3A2004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
2M bit	S3A2004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
4M bit	S3A4004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
4M bit	S3A4004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
8M bit	S3A8004V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
8M bit	S3A8004R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
16M bit	S3A1604V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
16M bit	S3A1604R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
32M bit	S3A3204V0M	Single/Dual/Quad SPI	2.70~3.60	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP
32M bit	S3A3204R0M	Single/Dual/Quad SPI	1.71~1.98	108MHz/54MHz	-40℃ to 85℃	8WSON, 8SOP

# MRAM 晶圆

KGD产品以晶圆形式交付，无需切割。

除标准存储器产品以外，Netsol还提供KGD（Known Good Die）内存产品。

KGD存储器可以简化系统设计并减小器件尺寸，是芯片组供应商向客户提供系统级封装 (SiP) 解决方案时最受欢迎的方案。

Netsol的KGD 内存产品具有与单独产品相同的质量及性能特征。

两种类型的产品皆在使用相同的生产和测试程序进行严格验证后获得认证。

* 所有 SPIMRAM和PPIMRAM产品都以KGD选项交付。
* 专门技术支持团队支持KGD客户的特定需求